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元件参数资料
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参数目录49515
> IRLR3717PBF MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
型号:
IRLR3717PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRLR3717PBF PDF
标准包装
75
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.45V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2830pF @ 10V
功率 - 最大
89W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
管件
其它名称
*IRLR3717PBF
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